分享|多波长EUV显微技术助力掩膜基底缺陷检测
在半导体领域，随着进入14nm以下先进制程节点，尤其是极紫外（EUV）光刻技术推出后，光刻领域对掩模缺陷检测提出了极高要求。掩模上的微小缺陷直接影响芯片制造的良率，成为良品率提升的最大难题之一。
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